1、芯片发烧　　本次内容首要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假设芯片耗损的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，固然会引发芯片的发烧。驱动芯片的最年夜电流来自在驱动功率MOS管的耗损，简单的计较公式为I=cvf(斟酌充电的电阻效益，现实I=2cvf，此中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所觉得了下降芯片的功耗，必需想法子下降c、v和f.假如c、v和f不克不及改变，那末请想法子将芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是斟酌更好的散热吧。　　2、功率管发烧　　关在这个问题，也见到过有人在论坛发过贴。功率管的功耗分成两部门，开关消耗和导通消耗。要留意，年夜大都场所特殊是LED市电驱动利用，开关侵害要弘远在导通消耗。　　开关消耗与功率管的cgd和cgs和芯片的驱动能力和工作频次相关，所以要处理功率管的发烧能够从以下几个方面处理：A、不克不及单方面按照导通电阻巨细来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越年夜。如1N60的cgs为250pF摆布，2N60的cgs为350pF摆布，5N60的cgs为1200pF摆布，不同太年夜了，选择功率管时，够用便可以了。B、剩下的就是频次和芯片驱动能力了，这里只谈频次的影响。　　频次与导通消耗同样成反比，所以功率管发烧时，起首要想一想是否是频次选择的有点高。想法子下降频次吧!不外要留意，当频次下降时，为了获得不异的负载能力，峰值电流必定要变年夜或电感也变年夜，这都有可能致使电感进入饱和区域。假如电感饱和电流够年夜，能够斟酌将CCM(持续电流模式)改酿成DCM(非持续电流模式)，如许就需要增添一个负载电容了。　　3、工作频次降频　　这个也是用户在调试进程中比力常见的现象，降频首要由两个方面致使。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰年夜。对前者，留意不要将负载电压设置的太高，固然负载电压高，效力会高点。　　对后者，能够测验考试以下几个方面：a、将最小电流设置的再小点;b、布线清洁点，特殊是sense这个要害路径;c、将电感选择的小点或选用闭合磁路的电感;d、加RC低通滤波吧，这个影响有点欠好，C的分歧性欠好，误差有点年夜，不外对照明来讲应当够了。不管若何降频没有益处，只要坏处，所以必然要处理。　　4、电感或变压器的选择　　终究谈到重点了，笔者自认还没有入门，只能瞎扯点饱和的影响了。良多用户反映，不异的驱动电路，用a出产的电感没有问题，用b出产的电感电流就变小了。碰到这类环境，要看看电感电流波形。有的项目师没有留意到这个现象，间接调理sense电阻或工作频次到达需要的电流，如许做可能会严峻影响LED的利用寿命。　　所以说，在设想前，公道的计较是必需的，假如理论计较的参数和调试参数差的有点远，要斟酌是不是降频和变压器是不是饱和。变压器饱和时，L会变小，致使传输delay引发的峰值电流增量急剧上升，那末LED的峰值电流也随着增添。在平均电流不变的条件下，只能看着光衰了。　　5、LED电流巨细　　大师都晓得LEDripple过年夜的话，LED寿命会遭到影响，影响有多年夜，也没见过哪一个专家说过。之前问过LED厂这个数据，他们说30%之内都能够接管，不外后来没有同意验证。建议仍是尽可能节制小点。假如散热处理的欠好的话，LED必然要降额利用。也但愿有专家能给个具体目标，要否则影响LED的推行。

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