此次首要想写写这个正银的鸿沟束缚前提和各个要害节点的判定尺度，如斯我们就会有一套正银应遵守的框架系统和各类问题的判定尺度和公道注释，固然这套系统仅为我一家之见，写在这儿和大师配合切磋印证，以期辨明本相大师受益。　　正银作为反面电极假如说年夜的准绳那就只要一个即在知足导电的条件下尽量少的对电池自己形成毁伤。由这个准绳我们就会推出尽量少的毁伤有两方面，一个是粉饰面积要少对应的是栅线要细，今朝大师认为这个根基都到了丝网印刷的极限，但从金属化会议年夜佬的猜测来看还没有，还可能在今朝的根本上再降一半的，具体若何我们拭目以待。而另外一个方面就是为大师一向所切磋的栅线下面的欧姆接触问题了，也是大师做文章的处所。　　对这个欧姆接触问题我们又有一个判定尺度那就是在知足这个欧姆接触的条件下，阿谁栅线下面的纳米胶体通道也尽量的少，如许也是在知足年夜条件对电池的毁伤最小准绳。这个尽量少若何判定呢，这个我们没法从哪些复杂的半导体公式推导时能够有一个简洁的方式就是以杜邦的产物为尺度，把阿谁栅线用焊带拉开，细心不雅察下你阿谁产物和杜邦产物的对硅片的侵蚀环境，国内有公司就是靠这点来现场调剂工艺的。　　而要知足这个银纳米胶体通道起码准绳则每一个纳米胶体通道就要导电能力强且要平均散布，平均散布是你制造工艺的问题，而导电能力强又是一个银纳米胶体颗粒几多的问题，这个问题的条件就会演变为博璃系统溶银能力的问题，即溶银能力必然要强这个是条件，也是博璃系统不竭转变的因。有了这个条件才会有你后面节制降温段颗粒巨细和晶体非常长年夜的问题。只需你的系统溶银能力不错而降温时能有用节制胶体颗粒巨细和散布同时按捺结晶颗粒的非常长年夜，那末你根基上就做出一款好正银了。对欧姆接触还一个要会商的就是第五主族参杂的问题，这个在今朝电池情势下是没法经由过程正银实现的，而对埃伯乐公司阿谁银锑合金道理那是在无钝化层的光片上能够实现的。　　以上会商根基就是正银的鸿沟束缚前提，下面我们看看各个要害节点的判定尺度和各类现象注释。　　对正银细线的问题，我们很多时辰正银都是电流高而串阻高的，对电流高一般你的线只需比杜邦的细就可以到达，固然你栅线下的欧姆接触不克不及太差。而在电流一样栅线宽度一样的条件下，谁做的串阻好这才申明谁真实的欧姆接触节制手艺好，也代表了正银自己的手艺程度。在这方面会商时我们就以栅线宽度一样的为条件来会商。好的欧姆接触表示出来是串阻小开压高，而假如是串阻高开压也高的环境那是你阿谁银纳米胶体通道不敷或通道但导电能力不足的问题，具体由若何判定呢，仍是用阿谁焊带拉开显微不雅察。　　同时还会呈现一种串阻高开压低的环境，这个根基上便可间接判定为侵蚀过甚了问题。也就是说这个银纳米胶体通道的几多和通道导电能力强弱是一个要害，这个要害对应博璃来讲就是溶银和节制银胶体生成的能力、对氮化硅侵蚀环境的节制能力了。博璃系统的演变统筹了这两点，直到此刻所谓的碲科技仿佛就很好的知足了这两点。对氮化硅侵蚀环境的节制取决在博璃系统本身的侵蚀能力和高温活动特征。对侵蚀能力这个没有量化尺度，只能以杜邦产物为尺度，而对高温活动特征则是分歧侵蚀能力博璃系统都要遵守的，这个高温活动特征杜邦也只在08年的一篇专利里具体描写过，其余时候都在不厌凡几的讲博璃配方系统，那段关在高温活动特征的描写能够作为博璃系统研发时的判定尺度。　　对博璃这个要害特征之一溶银和银胶体颗粒节制能力，由于此刻的正银就是以这个银纳米胶体导电道理为根本的，我们就多说一点。为溶银能力是不是是要害大师在群里有争辩，争辩酿成了后期的晶体颗粒非常长年夜的问题，即铅博璃轻易形成银胶体颗粒降温段长年夜而数目削减，长的过年夜则会对电池形成毁伤，而铅碲博璃仿佛这个胶体颗粒降温段不会非常长年夜。　　对这点我只能说我们讲的是正银分歧阶段的问题，而不是用这个降温段的问题来否认这个溶银能力条件的问题。既然用银纳米胶体导电作为道理，那起首只要你这个博璃自己能融进良多银才有可能实现这个银纳米胶体导电的，你自己就溶不了几多银，即便后面再若何节制避免长年夜都是没用的。而对仿造这个胶体颗粒长年夜节制巨细，这个大师看看保守的银纳米胶体着色的道理，那边面临在这个若何节制讲的很清晰。而我之所以对溶银能力几回再三推重这那一些左证。　　这时候我们看一个烧结工艺转变的问题，从之前的低温慢烧到此刻的高温快烧，这个能够必定的一点是知足年夜条件对电池毁伤最小准绳的。而从银浆本身来讲，做一个低温快烧的是没有问题的，并且简直节流能源，为何又走了一个高温快烧的线路呢，我只从这个溶银能力角度注释下，那就是消融度是和温度间接正相干的，高温溶银多欧姆接触好，而低温快烧的银浆免不了要用超细银粉和超低软化点博璃，大师晓得在正银高固含的环境下超细银粉是难做印刷的，并且这个超细银粉比表达也难以被低温下博璃粘度高而润湿的，并且低温下消融度也是低的，如斯这些束缚前提导致不克不及做低温快烧的正银。　　而从银的角度高温快烧某种水平里面可用稍年夜活性低的银粉，如许的银粉烧结慢而被博璃润湿年夜量消融利在欧姆接触，而细的银粉本身烧结活性高，因为本身烧结晶界分散好，博璃难在溶蚀，从这个角度假如你阿谁通道数目好并且博璃溶银能力也没问题串阻又高时你就调剂下银粉的粒度，以使银粉易在消融。　　保守的银纳米胶体着色银都是以银盐或氧化银的情势引入的，由于银要被消融必需是银离子情势的。固然杜邦的专利每次都提各类银盐引入情势可现实在正银里仍是很难引入银盐的，由于那样你的浆料活动性就欠好节制了，而氧化银因为细致高温下轻易本身还原成银，所以终究仍是靠博璃来调剂。　　我们再来看看这个高丽年夜学，这个用太极做国旗的国度，很大白我们太极气说，喜好从气的角度研究，它的结论是高氧情况利在银的消融。如斯我们再来看看这个铅碲直到铅碲钒博璃的公道性，高铅博璃里氧的摩尔量现实很少的，而到了氧化碲氧提高了而碲自己也是氧族元素，再引入钒这个氧的摩尔量就年夜年夜提高并且这个钒自己高温下就可以释放氧的，则如斯这个博璃系统的公道性就获得领会释。　　金属化会议上也会商其他反面金属化情势，这个正银和其他金属化到底会若何，一切都取决去终究阿谁平价上彀电池的情势，在这个之前都不外是阶段性的情势。