1.0绪论　　尽人皆知，晶体硅太阳电池组件的概况暗影、焊接不良和单体电池功率不婚配等身分是致使输出功率下降的首要缘由，研究这些身分的影响不但对制造晶体硅太阳电池组件有指点感化，并且也有益在人们准确判定光伏发电系统输出下降或掉效的缘由。　　国外曾有人报导一些在现场用了10到15年的组件电特征已恶化。其I-V特征曲线已和一些通俗的光伏组件不同很年夜，而这类转变的I-V曲线能够用来阐发晶体硅太阳电池组件输出下降的缘由。本文首要会商了遮挡部门电池组件输出特征的影响，并用计较机对核进程进行了摹拟。　　2.0摹拟方式　　在晶体硅太阳电池组件中，当有电池被遮挡时，组件的输出特征能够用下式暗示：　　这些参数估算时能够用一些参数取代：n=1.96，I0=3.86X10-5（A）,Rsh=15.29（Ω）。a=2.0x10-3，Vbr=-21.29（V），nn=3.R3=0.008.　　组件中有电池被粉饰时的电路能够用图片三来暗示，一般的电池和被粉饰住的电池在组件中是串连关系，是以电压V和电流I知足以劣等式：　　此中，Iph1代表组件中通俗电池的光电流，Iph2代表遮挡电池发生的光电流，与等式（2）中的遮挡透过率相关系，例如，当遮挡透过率为35%时，Iph2是Iph1的0.35倍。经由过程解（3）-（6）式能够计较出I-V的特征。　　2、尝试　　图2（a）和（b）是经由过程改变暗影透过率的环境下别离计较和现实丈量的I-V特征曲线。当组件上的一个电池用分歧的透过率（一个组件由36块电池构成）时，短路电流年夜致转变不年夜。成果是透过率越低，电流跟着电压的升高低降越快。另外一方面，开路电压根基上不异。由图可看出：丈量成果与计较的成果相吻合。　　图2以遮挡透过率为变量的I-V特征曲线（遮挡电池数：1）（a）计较成果，（b）丈量成果　　图3（a）和（b）是经由过程改变遮挡的电池数量（暗影透过率都为35%）来计较和丈量I-V的特征。跟着电池遮挡数量的增加，短路电流较着变低，但是开路电压转变不是很年夜。由图可看出：丈量与计较的成果相吻合。　　图3以遮挡电池数量为变量的I-V特征曲线（遮挡透过率为35%），（a）计较成果，（b）丈量成果。　　图4是分歧辐照度下测试I-V特征。此中一片电池上笼盖有暗影，而且暗影的透过率为35%。跟着辐照度的提高，在短路电流四周电流降落比例变年夜。图5是分歧辐照度下测试的I-V特征，在一个组件上有3块电池有暗影（暗影透过率都为35%）。在这类环境下，在短路电流四周电流降落很小。　　图6是在统一辐照度，阴隐透过率为35%环境下，经由过程改变组件遮挡的位置测出来的I-V特征曲线。遮挡数量为3块（一块组件36块电池）。由I-V曲线图能够看出固然遮挡面积一样，但分歧的位置其I-V曲线表示分歧的，可是开路电压均相等。　　图6 位置分歧而测定的I-V曲线（曲线1为遮挡的持续三块电池；曲线2为遮挡的持续两块电池和一块距离开的电池；曲线3为遮挡的三块别离距离开的电池）　　3、结论　　本文操纵计较机摹拟和组件测试仪研究了因为电池的遮挡而引发的组件功率输出与I-V特征转变之间的关系，组件被遮挡时的I-V特征转变与被遮挡的电池的电压下降相关。　　晶体硅太阳电池组件的输出I-V特征曲线与电池概况暗影、焊接不良和单体电池功率不婚配等身分相关，分歧身分对输出功率的影响是分歧的，研究这些身分的影响不但对制造晶体硅太阳电池组件由指点感化，并且也有益在人们准确判定光伏发电系统输出下降或掉效的缘由。（作者微信公家账号：光伏经验网）